第三代
半導(dǎo)體測(cè)試家族
Third generation semiconductor testing family
分類
QT-3101 UIL 雪崩測(cè)試
QT-3101 UIL 雪崩測(cè)試適用于測(cè)試 MOSFET、IGBT、二極管的雪崩參數(shù)
支持雙DIE |
快速充電 |
失效波形保存 |
鉗壓功能 |
型號(hào) | QT-3101 UIL |
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì) |
? 支持 VDD ON(E=1/2L*I*I*BVDSS/(BVDSS-VDD))或VDD OFF(E=1/2*L*I*I) 測(cè)試 ? 可與 QT-4100B 共用一臺(tái)電腦,實(shí)現(xiàn)測(cè)試程序和數(shù)據(jù)統(tǒng)一管理 ? 可設(shè)定單脈沖、多脈沖或者雙 MOSFET 測(cè)試 ? 輸出電流IDMAX 實(shí)時(shí)測(cè)量監(jiān)控和Energy讀取 ? 電感內(nèi)阻低,ID充電快,測(cè)試時(shí)間更短 ? 內(nèi)置示波器 |
主要特點(diǎn) |
? 輸出測(cè)量能力:最大測(cè)量 BVdss:±3000V 最大輸出 ID:±150V 、±200A ? 可編輯 VG MAX:±30V脈寬調(diào)節(jié)(分辨率:1us) ? 可編程電感箱負(fù)載 10μH-159.9mH 步進(jìn) 10μH ? 可編程分選機(jī)接口信號(hào) 24 個(gè) |
中國廣東省佛山市南海國家高新區(qū)新光源產(chǎn)業(yè)基地光明大道16號(hào) | |
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